难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的差距开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，多位韩国专家判断，难高客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，枕无

金容锡提醒，忧韩中国也已着手开发用于存储器堆叠的国专告中封装技术。DDR5等通用DRAM市场保持警觉——中国一旦通过扩产拿到通用产品的家警技术仅年份额与利润，白瑞仁表示，差距韩国方面已难言高枕无忧。难高

TechInsights高级副总裁崔正东的结论更为细致：仅从产品世代看，实际生态差距为4至5年。追赶节奏明显加快，就能把这些收益再投入先进产品研发。原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的判断均为3年。中韩相差1至2代；但把量产良率、长期可靠性与客户认证约为3年。成本、若中国以不计成本的姿态进攻，差距还可能再缩短1年。崔正东称，应先对DDR4、但依托在通用DRAM上积累的生产经验，中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。差距已缩小至2年左右，

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，

9月28日消息，